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KNL42150A

商品型号: KNL42150A

制造厂商: KIA 半导体

封装规格: TO-3PF

商品毛重: 5.83g

商品编号: CY829895

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A(Tc) 漏源电压(Vdss):1500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:9Ω @ 1.3A,0V 最大功率耗散(Ta=25°C):63W(Tc) 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
栅源极阈值电压 5V @ 250uA
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A(Tc) 漏源电压(Vdss):1500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:9Ω @ 1.3A,0V 最大功率耗散(Ta=25°C):63W(Tc) 类型:N沟道

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KNL42150A由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KNL42150A价格参考¥3.372200。KIA 半导体KNL42150A封装/规格:TO-3PF,连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A(Tc) 漏源电压(Vdss):1500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:9Ω @ 1.3A,0V 最大功率耗散(Ta=25°C):63W(Tc) 类型:N沟道

手机版:KNL42150A