商品型号: VST018N10MS
制造厂商: Vanguard(威兆)
封装规格: TO-220AB
商品毛重: 2.74g
商品编号: CY070874
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 100V 60A
数量
价格
1+
¥9.4442
10+
¥9.371
30+
¥9.2978
100+
¥9.2246
500+
¥9.1514
1000+
¥9.0757
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 |
VST018N10MS由Vanguard(威兆)设计生产,在芯云购商城现货销售,VST018N10MS价格参考¥9.444200。Vanguard(威兆)VST018N10MS封装/规格:TO-220AB,连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 100V 60A
手机版:VST018N10MS
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