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FDP083N15A-F102

商品型号: FDP083N15A-F102

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: TO-220(TO-220-3)

商品毛重: 2.16g

商品编号: CY312108

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):83A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.3mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):294W 类型:N沟道 N沟道 150V 117A

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 150V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):83A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.3mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):294W 类型:N沟道 N沟道 150V 117A

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FDP083N15A-F102由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDP083N15A-F102价格参考¥1.573600。ON(安森美)FDP083N15A-F102封装/规格:TO-220(TO-220-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):83A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.3mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):294W 类型:N沟道 N沟道 150V 117A

手机版:FDP083N15A-F102