商品型号: FDP083N15A-F102
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: TO-220(TO-220-3)
商品毛重: 2.16g
商品编号: CY312108
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):83A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.3mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):294W 类型:N沟道 N沟道 150V 117A
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价格
1+
¥1.5736
10+
¥1.479
30+
¥1.3844
100+
¥1.2898
500+
¥1.1952
1000+
¥1.0976
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
品牌: FANHAR(浙江凡华)
封装: 20.2x10x15.5
¥15.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
类型 | N沟道 |
FDP083N15A-F102由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDP083N15A-F102价格参考¥1.573600。ON(安森美)FDP083N15A-F102封装/规格:TO-220(TO-220-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):83A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.3mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):294W 类型:N沟道 N沟道 150V 117A
手机版:FDP083N15A-F102
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