商品型号: IXFH50N85X
制造厂商: IXYS
封装规格: TO-247
商品毛重: 7.98g
商品编号: CY947875
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):850V 栅源极阈值电压:5.5V @ 4mA 漏源导通电阻:105mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):890W(Tc) 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥2.3948
10+
¥2.2972
30+
¥2.1996
100+
¥2.0998
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
品牌: FANHAR(浙江凡华)
封装: 20.2x10x15.5
¥15.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
类型 | N沟道 |
IXFH50N85X由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXFH50N85X价格参考¥2.394800。IXYSIXFH50N85X封装/规格:TO-247,连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):850V 栅源极阈值电压:5.5V @ 4mA 漏源导通电阻:105mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):890W(Tc) 类型:N沟道
手机版:IXFH50N85X
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