商品型号： LNE12N65
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-263
商品毛重： 2.24g
商品编号： CY207590
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥5.087
10+
￥5.0734
30+
￥5.0598
100+
￥5.0462
500+
￥5.0326
1000+
￥5.0163
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150W | |
| 类型 | N沟道 |
LNE12N65由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LNE12N65价格参考￥5.087000。LONTEN(龙腾半导体)LNE12N65封装/规格：TO-263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W 类型：N沟道
手机版：LNE12N65
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