商品型号： IRF7855PBF
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： SOIC-8_150mil
商品毛重： 0.28g
商品编号： CY489897
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4.9V @ 100uA 漏源导通电阻：9.4mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道,60V,12A,9.4mΩ@10V
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价格
1+
￥9.2648
10+
￥9.2216
30+
￥9.1784
100+
￥9.1352
500+
￥9.092
1000+
￥9.046
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￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | N沟道 |
IRF7855PBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF7855PBF价格参考￥9.264800。Infineon(英飞凌)IRF7855PBF封装/规格：SOIC-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4.9V @ 100uA 漏源导通电阻：9.4mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道,60V,12A,9.4mΩ@10V
手机版：IRF7855PBF
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