商品型号： C3M0120090D
制造厂商： CREE
封装规格： TO-247(AC)
商品毛重： 8.60g
商品编号： CY665650
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：3.5V @ 3mA 漏源导通电阻：155mΩ @ 15A,15V 最大功率耗散（Ta=25°C）：97W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.3042
10+
￥9.2292
30+
￥9.1542
100+
￥9.0771
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 900V | |
| 类型 | N沟道 |
C3M0120090D由CREE设计生产,在芯云购商城现货销售,C3M0120090D价格参考￥9.304200。CREEC3M0120090D封装/规格：TO-247(AC),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：3.5V @ 3mA 漏源导通电阻：155mΩ @ 15A,15V 最大功率耗散（Ta=25°C）：97W(Tc) 类型：N沟道
手机版：C3M0120090D
20万现货SKU
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