商品型号： HP60N75
制造厂商： HL(豪林)
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 2.55g
商品编号： CY874741
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：70V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,70V,60A,18mΩ@10V
数量
价格
1+
￥5.473
10+
￥5.3959
30+
￥5.3188
100+
￥5.2391
500+
￥5.1594
1000+
￥5.0797
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 70V | |
| 类型 | N沟道 |
HP60N75由HL(豪林)设计生产,在芯云购商城现货销售,HP60N75价格参考￥5.473000。HL(豪林)HP60N75封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：70V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,70V,60A,18mΩ@10V
手机版：HP60N75
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监