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FDP070AN06A0

商品型号: FDP070AN06A0

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: TO-220AB

商品毛重: 2.68g

商品编号: CY427346

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):175W(Tc) 类型:N沟道 N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):175W(Tc) 类型:N沟道 N沟道

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FDP070AN06A0由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDP070AN06A0价格参考¥1.077600。ON(安森美)FDP070AN06A0封装/规格:TO-220AB,连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):175W(Tc) 类型:N沟道 N沟道

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