商品型号： KIA730HP
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 3.67g
商品编号： CY053373
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：400V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：73W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，400V，6A
数量
价格
1+
￥7.0957
10+
￥7.0815
30+
￥7.0673
100+
￥7.0531
500+
￥7.0354
1000+
￥7.0177
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 400V | |
| 类型 | N沟道 |
KIA730HP由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KIA730HP价格参考￥7.095700。KIA 半导体KIA730HP封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：400V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：73W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，400V，6A
手机版：KIA730HP
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