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LSB65R180GF

商品型号： LSB65R180GF

制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)

封装规格： TO-247

商品毛重： 7.91g

商品编号： CY832240

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：205W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
栅源极阈值电压	5V @ 250uA
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：205W(Tc) 类型：N沟道

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LSB65R180GF由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSB65R180GF价格参考￥6.127500。LONTEN(龙腾半导体)LSB65R180GF封装/规格：TO-247,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：205W(Tc) 类型：N沟道

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