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FCH110N65F-F155

商品型号： FCH110N65F-F155

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-247-3

商品毛重： 5.03g

商品编号： CY077656

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 3.5mA 漏源导通电阻：110mΩ @ 17.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：357W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 650V 35A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 3.5mA 漏源导通电阻：110mΩ @ 17.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：357W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 650V 35A

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