商品型号： KIA3510AP
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 2.75g
商品编号： CY139866
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：166W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，100V，75A
数量
价格
1+
￥7.2104
10+
￥7.1758
30+
￥7.1412
100+
￥7.1066
500+
￥7.072
1000+
￥7.036
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
KIA3510AP由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KIA3510AP价格参考￥7.210400。KIA 半导体KIA3510AP封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：166W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，100V，75A
手机版：KIA3510AP
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