商品型号： AP04N70BI-A
制造厂商： APEC(富鼎)
封装规格： TO-220F(TO-220IS)
商品毛重： 2.54g
商品编号： CY055229
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：33W 类型：N沟道 N沟 650V 4A
数量
价格
1+
￥8.3662
10+
￥8.3062
30+
￥8.2462
100+
￥8.1862
500+
￥8.1262
1000+
￥8.0631
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A | |
| 类型 | N沟道 |
AP04N70BI-A由APEC(富鼎)设计生产,在芯云购商城现货销售,AP04N70BI-A价格参考￥8.366200。APEC(富鼎)AP04N70BI-A封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：33W 类型：N沟道 N沟 650V 4A
手机版：AP04N70BI-A
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监