商品型号： HSP0115
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： TO-220
商品毛重： 2.79g
商品编号： CY854189
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：95mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W 类型：P沟道
数量
价格
1+
￥8.4504
10+
￥8.3776
30+
￥8.3048
100+
￥8.2286
500+
￥8.1524
1000+
￥8.0762
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | P沟道 |
HSP0115由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSP0115价格参考￥8.450400。HUASHUO(华朔)HSP0115封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：95mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W 类型：P沟道
手机版：HSP0115
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