商品型号: TSP740MR
制造厂商: Truesemi(信安)
封装规格: TO-220
商品毛重: 2.67g
商品编号: CY276286
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):400V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:510mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):193.6W(Tc) 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥3.1815
10+
¥3.1517
30+
¥3.1219
100+
¥3.0921
500+
¥3.0623
1000+
¥3.0325
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 400V | |
类型 | N沟道 |
TSP740MR由Truesemi(信安)设计生产,在芯云购商城现货销售,TSP740MR价格参考¥3.181500。Truesemi(信安)TSP740MR封装/规格:TO-220,连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):400V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:510mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):193.6W(Tc) 类型:N沟道
手机版:TSP740MR
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