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TSP740MR

商品型号: TSP740MR

制造厂商: Truesemi(信安)

封装规格: TO-220

商品毛重: 2.67g

商品编号: CY276286

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):400V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:510mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):193.6W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 400V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):400V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:510mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):193.6W(Tc) 类型:N沟道

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TSP740MR由Truesemi(信安)设计生产,在芯云购商城现货销售,TSP740MR价格参考¥3.181500。Truesemi(信安)TSP740MR封装/规格:TO-220,连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):400V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:510mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):193.6W(Tc) 类型:N沟道

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