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FCPF190N65S3R0L

商品型号: FCPF190N65S3R0L

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: TO-220F-3

商品毛重: 1.59g

商品编号: CY959481

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 1.7mA 漏源导通电阻:190mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):144W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 650V 17A

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 650V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 1.7mA 漏源导通电阻:190mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):144W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 650V 17A

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FCPF190N65S3R0L由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FCPF190N65S3R0L价格参考¥6.201600。ON(安森美)FCPF190N65S3R0L封装/规格:TO-220F-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 1.7mA 漏源导通电阻:190mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):144W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 650V 17A

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