商品型号: FCPF190N65S3R0L
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: TO-220F-3
商品毛重: 1.59g
商品编号: CY959481
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 1.7mA 漏源导通电阻:190mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):144W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 650V 17A
数量
价格
1+
¥6.2016
10+
¥6.1691
30+
¥6.1366
100+
¥6.1041
500+
¥6.0694
1000+
¥6.0347
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 |
FCPF190N65S3R0L由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FCPF190N65S3R0L价格参考¥6.201600。ON(安森美)FCPF190N65S3R0L封装/规格:TO-220F-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 1.7mA 漏源导通电阻:190mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):144W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 650V 17A
手机版:FCPF190N65S3R0L
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