商品型号： CSD23381F4
制造厂商： TI(德州仪器)
封装规格： PicosTAR-3
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY584430
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.3A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：175mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道 CSD23381F4 12-V, P-Channel NexFET? Power MOSFET, CSD23381F4
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | -12V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 500mW | |
| 类型 | P沟道 |
CSD23381F4由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD23381F4价格参考￥8.232200。TI(德州仪器)CSD23381F4封装/规格：PicosTAR-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.3A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：175mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道 CSD23381F4 12-V, P-Channel NexFET? Power MOSFET, CSD23381F4
手机版：CSD23381F4
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