商品型号： BRF10N65
制造厂商： BLUE ROCKET(蓝箭)
封装规格： TO-220FL
商品毛重： 2.86g
商品编号： CY081244
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 4.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥6.3891
10+
￥6.3247
30+
￥6.2603
100+
￥6.1959
500+
￥6.1315
1000+
￥6.0671
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
BRF10N65由BLUE ROCKET(蓝箭)设计生产,在芯云购商城现货销售,BRF10N65价格参考￥6.389100。BLUE ROCKET(蓝箭)BRF10N65封装/规格：TO-220FL,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 4.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
手机版：BRF10N65
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