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FDPF10N50FT

商品型号: FDPF10N50FT

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: TO-220F-3

商品毛重: 3.12g

商品编号: CY817991

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:850mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 500V
栅源极阈值电压 5V @ 250uA
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:850mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W(Tc) 类型:N沟道

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FDPF10N50FT由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDPF10N50FT价格参考¥1.407800。ON(安森美)FDPF10N50FT封装/规格:TO-220F-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:850mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):42W(Tc) 类型:N沟道

手机版:FDPF10N50FT