商品型号： TMU4N60H
制造厂商： 无锡紫光微
封装规格： TO-251
商品毛重： 0.58g
商品编号： CY610566
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.429
10+
￥9.3593
30+
￥9.2896
100+
￥9.2172
500+
￥9.1448
1000+
￥9.0724
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
TMU4N60H由无锡紫光微设计生产,在芯云购商城现货销售,TMU4N60H价格参考￥9.429000。无锡紫光微TMU4N60H封装/规格：TO-251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道
手机版：TMU4N60H
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