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IPP60R360P7XKSA1

商品型号： IPP60R360P7XKSA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-220(TO-220-3)

商品毛重： 2.64g

商品编号： CY577557

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 140uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 2.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W 类型：N沟道 N沟道,650V,9A,360mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	9A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 140uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 2.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W 类型：N沟道 N沟道,650V,9A,360mΩ@10V

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IPP60R360P7XKSA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPP60R360P7XKSA1价格参考￥8.450400。Infineon(英飞凌)IPP60R360P7XKSA1封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 140uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 2.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W 类型：N沟道 N沟道,650V,9A,360mΩ@10V

手机版：IPP60R360P7XKSA1