商品型号: PSMN2R0-30PL,127
制造厂商: Nexperia(安世)
封装规格: TO-220(TO-220-3)
商品毛重: 2.84g
商品编号: CY898494
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.15V @ 1mA 漏源导通电阻:2.1mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):211W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,30V,100A
数量
价格
1+
¥7.1874
10+
¥7.0937
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 |
PSMN2R0-30PL,127由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PSMN2R0-30PL,127价格参考¥7.187400。Nexperia(安世)PSMN2R0-30PL,127封装/规格:TO-220(TO-220-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.15V @ 1mA 漏源导通电阻:2.1mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):211W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,30V,100A
手机版:PSMN2R0-30PL,127
20万现货SKU
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