商品型号： TSF5N65M
制造厂商： Truesemi(信安)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.30g
商品编号： CY565647
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 2.25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，650V，4.5A，3.0Ω
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1+
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30+
￥1.0582
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￥1.0453
500+
￥1.0302
1000+
￥1.0151
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
TSF5N65M由Truesemi(信安)设计生产,在芯云购商城现货销售,TSF5N65M价格参考￥1.084000。Truesemi(信安)TSF5N65M封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 2.25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，650V，4.5A，3.0Ω
手机版：TSF5N65M
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