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IXTH52P10P

商品型号: IXTH52P10P

制造厂商: IXYS

封装规格: TO-247

商品毛重: 7.93g

商品编号: CY185565

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):52A(Tc) 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 21A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:P沟道

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):52A(Tc) 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 21A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:P沟道

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IXTH52P10P由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXTH52P10P价格参考¥4.210000。IXYSIXTH52P10P封装/规格:TO-247,连续漏极电流(Id)(25°C 时):52A(Tc) 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 21A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W(Tc) 类型:P沟道

手机版:IXTH52P10P