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CS13N50FA9H

商品型号： CS13N50FA9H

制造厂商：华润华晶

封装规格： TO-220F(TO-220IS)

商品毛重： 2.82g

商品编号： CY255471

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,500V,13A,340mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	500V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,500V,13A,340mΩ@10V

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CS13N50FA9H由华润华晶设计生产,在芯云购商城现货销售,CS13N50FA9H价格参考￥1.317400。华润华晶CS13N50FA9H封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,500V,13A,340mΩ@10V

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