商品型号： FDP12N50
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 2.68g
商品编号： CY908640
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：165W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
数量
价格
1+
￥2.4058
10+
￥2.3399
30+
￥2.274
100+
￥2.2055
500+
￥2.137
1000+
￥2.0685
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
FDP12N50由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDP12N50价格参考￥2.405800。ON(安森美)FDP12N50封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：165W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
手机版：FDP12N50
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