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FHP12N65C

商品型号： FHP12N65C

制造厂商： FeiHong(飞虹)

封装规格： TO-220

商品毛重： 2.94g

商品编号： CY887082

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：231W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
栅源极阈值电压	5V @ 250uA
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：231W(Tc) 类型：N沟道

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FHP12N65C由FeiHong(飞虹)设计生产,在芯云购商城现货销售,FHP12N65C价格参考￥6.451800。FeiHong(飞虹)FHP12N65C封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：231W(Tc) 类型：N沟道

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