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VS80N08AT

商品型号： VS80N08AT

制造厂商： Vanguard(威兆)

封装规格： TO-220AB

商品毛重： 2.89g

商品编号： CY521577

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：83A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 80V 83A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	80V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：83A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 80V 83A

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VS80N08AT由Vanguard(威兆)设计生产,在芯云购商城现货销售,VS80N08AT价格参考￥6.476100。Vanguard(威兆)VS80N08AT封装/规格：TO-220AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：83A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 80V 83A

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