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CS7N65FA9D

商品型号： CS7N65FA9D

制造厂商：华润华晶

封装规格： TO-220F(TO-220IS)

商品毛重： 2.82g

商品编号： CY098602

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 650V 7A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 650V 7A

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CS7N65FA9D由华润华晶设计生产,在芯云购商城现货销售,CS7N65FA9D价格参考￥7.275900。华润华晶CS7N65FA9D封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 650V 7A

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