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NCE65T360

商品型号: NCE65T360

制造厂商: 无锡新洁能

封装规格: TO-220(TO-220-3)

商品毛重: 2.77g

商品编号: CY541270

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:360mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):101W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 650V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:360mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):101W(Tc) 类型:N沟道

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NCE65T360由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE65T360价格参考¥9.553000。无锡新洁能NCE65T360封装/规格:TO-220(TO-220-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:360mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):101W(Tc) 类型:N沟道

手机版:NCE65T360