商品型号: NCE65T360
制造厂商: 无锡新洁能
封装规格: TO-220(TO-220-3)
商品毛重: 2.77g
商品编号: CY541270
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:360mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):101W(Tc) 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥9.553
10+
¥9.4618
30+
¥9.3706
100+
¥9.2794
500+
¥9.1882
1000+
¥9.0941
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 |
NCE65T360由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE65T360价格参考¥9.553000。无锡新洁能NCE65T360封装/规格:TO-220(TO-220-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):11.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:360mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):101W(Tc) 类型:N沟道
手机版:NCE65T360
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