商品型号： NCE65T360
制造厂商： 无锡新洁能
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 2.77g
商品编号： CY541270
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：101W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.553
10+
￥9.4618
30+
￥9.3706
100+
￥9.2794
500+
￥9.1882
1000+
￥9.0941
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
NCE65T360由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE65T360价格参考￥9.553000。无锡新洁能NCE65T360封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：101W(Tc) 类型：N沟道
手机版：NCE65T360
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