商品型号： KIA7N60UP
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 3.67g
商品编号： CY535747
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，600V，7A
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价格
1+
￥7.303
10+
￥7.2038
30+
￥7.1046
100+
￥7.0054
500+
￥7.0036
1000+
￥7.0018
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
KIA7N60UP由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KIA7N60UP价格参考￥7.303000。KIA 半导体KIA7N60UP封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，600V，7A
手机版：KIA7N60UP
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