商品型号： HY1720P
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： TO-220FB-3L
商品毛重： 2.83g
商品编号： CY561570
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：64A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：32mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：263W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.3484
10+
￥9.2907
30+
￥9.233
100+
￥9.1753
500+
￥9.1176
1000+
￥9.0599
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
HY1720P由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY1720P价格参考￥9.348400。HUAYI(华羿微)HY1720P封装/规格：TO-220FB-3L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：64A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：32mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：263W(Tc) 类型：N沟道
手机版：HY1720P
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