商品型号： CS5N65FA9R
制造厂商： 华润华晶
封装规格： TO-220F(TO-220IS)
商品毛重： 2.82g
商品编号： CY375110
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 650V 5A
数量
价格
1+
￥2.4856
10+
￥2.4065
30+
￥2.3252
100+
￥2.2439
500+
￥2.1626
1000+
￥2.0813
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
CS5N65FA9R由华润华晶设计生产,在芯云购商城现货销售,CS5N65FA9R价格参考￥2.485600。华润华晶CS5N65FA9R封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 650V 5A
手机版：CS5N65FA9R
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