商品型号： LSD65R125HT
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-220MF
商品毛重： 2.89g
商品编号： CY259616
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：125mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34.2W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥3.5466
10+
￥3.456
30+
￥3.3654
100+
￥3.2748
500+
￥3.1832
1000+
￥3.0916
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
LSD65R125HT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSD65R125HT价格参考￥3.546600。LONTEN(龙腾半导体)LSD65R125HT封装/规格：TO-220MF,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：125mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34.2W(Tc) 类型：N沟道
手机版：LSD65R125HT
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