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CSD88539NDT

商品型号： CSD88539NDT

制造厂商： TI(德州仪器)

封装规格： SOIC-8_150mil

商品毛重： 0.17g

商品编号： CY514370

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.6V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：双N沟道 CSD88539ND 60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88539ND

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	15A
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.6V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：双N沟道 CSD88539ND 60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88539ND

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CSD88539NDT由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD88539NDT价格参考￥2.225300。TI(德州仪器)CSD88539NDT封装/规格：SOIC-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.6V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：双N沟道 CSD88539ND 60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88539ND

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