商品型号： HSK4N10
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： SOT-89
商品毛重： 0.10g
商品编号： CY304475
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：165mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A | |
| 类型 | N沟道 |
HSK4N10由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSK4N10价格参考￥8.245000。HUASHUO(华朔)HSK4N10封装/规格：SOT-89,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：165mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道
手机版：HSK4N10
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