商品型号： CS12N06AE-G
制造厂商： 华润华晶
封装规格： SOP8
商品毛重： 0.21g
商品编号： CY666697
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：1.9V @ 250uA 漏源导通电阻：13.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.2W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A | |
| 类型 | N沟道 |
CS12N06AE-G由华润华晶设计生产,在芯云购商城现货销售,CS12N06AE-G价格参考￥7.372000。华润华晶CS12N06AE-G封装/规格：SOP8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：1.9V @ 250uA 漏源导通电阻：13.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.2W 类型：N沟道
手机版：CS12N06AE-G
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