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IS43DR16640B-3DBLI

商品型号： IS43DR16640B-3DBLI

制造厂商： ISSI(美国芯成)

封装规格： BGA-84

商品毛重： 1.40g

商品编号： CY848246

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商品描述：存储器容量：1Gb (64M x 16) 存储器类型：Volatile 工作电压：1.7V ~ 1.9V 存储器接口类型：Parallel

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	DDR存储器
存储器构架(格式)	DRAM
存储器接口类型	Parallel
存储器容量	1Gb (64M x 16)
工作电压	1.7V ~ 1.9V
存储器类型	Volatile

存储器容量：1Gb (64M x 16) 存储器类型：Volatile 工作电压：1.7V ~ 1.9V 存储器接口类型：Parallel

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IS43DR16640B-3DBLI由ISSI(美国芯成)设计生产,在芯云购商城现货销售,IS43DR16640B-3DBLI价格参考￥5.186600。ISSI(美国芯成)IS43DR16640B-3DBLI封装/规格：BGA-84,存储器容量：1Gb (64M x 16) 存储器类型：Volatile 工作电压：1.7V ~ 1.9V 存储器接口类型：Parallel

手机版：IS43DR16640B-3DBLI