商品型号： FIR4N65BPG
制造厂商： 3PEAK
封装规格： TO-251(I-PAK)
商品毛重： 0.68g
商品编号： CY064041
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W 类型：N沟道 4N65，4A，650V高性价比MOS
数量
价格
1+
￥7.2821
10+
￥7.2356
30+
￥7.1891
100+
￥7.1426
500+
￥7.0961
1000+
￥7.0496
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A | |
| 类型 | N沟道 |
FIR4N65BPG由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,FIR4N65BPG价格参考￥7.282100。3PEAKFIR4N65BPG封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W 类型：N沟道 4N65，4A，650V高性价比MOS
手机版：FIR4N65BPG
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监