商品型号： BR13N50
制造厂商： BLUE ROCKET(蓝箭)
封装规格： TO-220
商品毛重： 2.72g
商品编号： CY753753
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：480mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：195W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
数量
价格
1+
￥1.4272
10+
￥1.3573
30+
￥1.2874
100+
￥1.2175
500+
￥1.145
1000+
￥1.0725
品牌： ST(意法半导体)
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 类型 | N沟道 |
BR13N50由BLUE ROCKET(蓝箭)设计生产,在芯云购商城现货销售,BR13N50价格参考￥1.427200。BLUE ROCKET(蓝箭)BR13N50封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：480mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：195W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
手机版：BR13N50
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