商品型号： CSD18532KCS
制造厂商： TI(德州仪器)
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 2.75g
商品编号： CY129947
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：N沟道 CSD18532KCS 60V、N 沟道 NexFET MOSFET?、单路 TO-220、4.2mΩ
数量
价格
1+
￥4.3885
10+
￥4.3255
30+
￥4.2604
100+
￥4.1953
500+
￥4.1302
1000+
￥4.0651
品牌： ST(意法半导体)
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A | |
| 类型 | N沟道 |
CSD18532KCS由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD18532KCS价格参考￥4.388500。TI(德州仪器)CSD18532KCS封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：N沟道 CSD18532KCS 60V、N 沟道 NexFET MOSFET?、单路 TO-220、4.2mΩ
手机版：CSD18532KCS
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