商品型号： NCE65T1K2F
制造厂商： 无锡新洁能
封装规格： TO-220F(TO-220IS)
商品毛重： 2.89g
商品编号： CY273475
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28.4W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥4.4882
10+
￥4.4073
30+
￥4.3264
100+
￥4.2455
500+
￥4.1646
1000+
￥4.0823
品牌： ST(意法半导体)
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￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
NCE65T1K2F由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE65T1K2F价格参考￥4.488200。无锡新洁能NCE65T1K2F封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.1Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28.4W(Tc) 类型：N沟道
手机版：NCE65T1K2F
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