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TSA20N50M

商品型号： TSA20N50M

制造厂商： Truesemi(信安)

封装规格： TO-3P

商品毛重： 71.00g

商品编号： CY044569

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：280mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：280W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，500V，20A，0.28Ω

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	500V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：280mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：280W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，500V，20A，0.28Ω

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TSA20N50M由Truesemi(信安)设计生产,在芯云购商城现货销售,TSA20N50M价格参考￥5.204200。Truesemi(信安)TSA20N50M封装/规格：TO-3P,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：280mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：280W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，500V，20A，0.28Ω

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