商品型号： IRF1010NPBF
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： TO-220-3
商品毛重： 2.66g
商品编号： CY696218
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：85A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 43A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：180W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥5.4041
10+
￥5.339
30+
￥5.2712
100+
￥5.2034
500+
￥5.1356
1000+
￥5.0678
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | N沟道 |
IRF1010NPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF1010NPBF价格参考￥5.404100。Infineon(英飞凌)IRF1010NPBF封装/规格：TO-220-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：85A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 43A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：180W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IRF1010NPBF
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监