IPD068P03L3GATMA1

商品型号： IPD068P03L3GATMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.48g

商品编号： CY297174

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2V @ 150uA 漏源导通电阻：6.8mΩ @ 70A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,30V,70A,6.8mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2V @ 150uA 漏源导通电阻：6.8mΩ @ 70A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,30V,70A,6.8mΩ@10V

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IPD068P03L3GATMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD068P03L3GATMA1价格参考￥7.017000。Infineon(英飞凌)IPD068P03L3GATMA1封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2V @ 150uA 漏源导通电阻：6.8mΩ @ 70A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,30V,70A,6.8mΩ@10V

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