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HBDM60V600W-7

商品型号： HBDM60V600W-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SC-70-6(SOT-363)

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY321402

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商品描述：集电极电流Ic：500mA,600mA 额定功率：200mW 晶体管类型：NPN,PNP 集射极击穿电压Vce：65V,60V

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	三极管
额定功率	200mW
晶体管类型	NPN,PNP

集电极电流Ic：500mA,600mA 额定功率：200mW 晶体管类型：NPN,PNP 集射极击穿电压Vce：65V,60V

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HBDM60V600W-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,HBDM60V600W-7价格参考￥7.006000。DIODES(美台)HBDM60V600W-7封装/规格：SC-70-6(SOT-363),集电极电流Ic：500mA,600mA 额定功率：200mW 晶体管类型：NPN,PNP 集射极击穿电压Vce：65V,60V

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