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HN1B04FE-GR,LF

商品型号: HN1B04FE-GR,LF

制造厂商: TOSHIBA(东芝)

封装规格: SOT-666

商品毛重: 0.01g

商品编号: CY357285

数据手册: 在线预览

商品描述: 集电极电流Ic:150mA 额定功率:100mW 晶体管类型:NPN,PNP 集射极击穿电压Vce:50V NPN/PNP,Vceo=±50V,Ic=±0.15A

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 三极管
额定功率 100mW
集电极电流Ic 150mA
集射极击穿电压Vce 50V
晶体管类型 NPN,PNP
集电极电流Ic:150mA 额定功率:100mW 晶体管类型:NPN,PNP 集射极击穿电压Vce:50V NPN/PNP,Vceo=±50V,Ic=±0.15A

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HN1B04FE-GR,LF由TOSHIBA(东芝)设计生产,在芯云购商城现货销售,HN1B04FE-GR,LF价格参考¥1.300300。TOSHIBA(东芝)HN1B04FE-GR,LF封装/规格:SOT-666,集电极电流Ic:150mA 额定功率:100mW 晶体管类型:NPN,PNP 集射极击穿电压Vce:50V NPN/PNP,Vceo=±50V,Ic=±0.15A

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