商品型号: HN1B04FE-GR,LF
制造厂商: TOSHIBA(东芝)
封装规格: SOT-666
商品毛重: 0.01g
商品编号: CY357285
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商品描述: 集电极电流Ic:150mA 额定功率:100mW 晶体管类型:NPN,PNP 集射极击穿电压Vce:50V NPN/PNP,Vceo=±50V,Ic=±0.15A
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 三极管 | |
额定功率 | 100mW | |
集电极电流Ic | 150mA | |
集射极击穿电压Vce | 50V | |
晶体管类型 | NPN,PNP |
HN1B04FE-GR,LF由TOSHIBA(东芝)设计生产,在芯云购商城现货销售,HN1B04FE-GR,LF价格参考¥1.300300。TOSHIBA(东芝)HN1B04FE-GR,LF封装/规格:SOT-666,集电极电流Ic:150mA 额定功率:100mW 晶体管类型:NPN,PNP 集射极击穿电压Vce:50V NPN/PNP,Vceo=±50V,Ic=±0.15A
手机版:HN1B04FE-GR,LF
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