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FGA30N60LSDTU

商品型号： FGA30N60LSDTU

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-3PN

商品毛重： 7.07g

商品编号： CY740563

数据手册：在线预览

商品描述：栅极阈值电压-VGE(th)：7V @ 250uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：1.4V @ 15V,30A 集电极电流（Ic）（最大值）：60A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：沟槽型场截止 600V,30A,IGBT

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	IGBT管
集射极击穿电压（最大值）	600V
类型	沟槽型场截止
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）	1.4V @ 15V,30A

栅极阈值电压-VGE(th)：7V @ 250uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：1.4V @ 15V,30A 集电极电流（Ic）（最大值）：60A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：沟槽型场截止 600V,30A,IGBT

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FGA30N60LSDTU由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FGA30N60LSDTU价格参考￥3.126800。ON(安森美)FGA30N60LSDTU封装/规格：TO-3PN,栅极阈值电压-VGE(th)：7V @ 250uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：1.4V @ 15V,30A 集电极电流（Ic）（最大值）：60A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：沟槽型场截止 600V,30A,IGBT

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