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IKD03N60RFATMA1

商品型号： IKD03N60RFATMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.48g

商品编号： CY362022

数据手册：在线预览

商品描述：栅极阈值电压-VGE(th)：5.7V @ 50uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.5V @ 15V,2.5A 集电极电流（Ic）（最大值）：6.5A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：沟槽型场截止

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	IGBT管
集电极电流（Ic）（最大值）	6.5A
集射极击穿电压（最大值）	600V
类型	沟槽型场截止
栅极阈值电压-VGE(th)	5.7V @ 50uA

栅极阈值电压-VGE(th)：5.7V @ 50uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.5V @ 15V,2.5A 集电极电流（Ic）（最大值）：6.5A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：沟槽型场截止

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IKD03N60RFATMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IKD03N60RFATMA1价格参考￥4.448600。Infineon(英飞凌)IKD03N60RFATMA1封装/规格：TO-252-2(DPAK),栅极阈值电压-VGE(th)：5.7V @ 50uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.5V @ 15V,2.5A 集电极电流（Ic）（最大值）：6.5A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：沟槽型场截止

手机版：IKD03N60RFATMA1